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申请/专利权人：无锡华兴光电研究有限公司;江苏华兴激光科技有限公司
摘要：本申请提供一种半导体材料的缺陷表征系统、方法和相关装置，系统包括超连续激光发射器、分光晶体、起偏器、第一棱镜、第一透镜、显微镜、样本位移台、第二透镜、第二棱镜、检偏器、狭缝和计算机，通过半导体材料表面的缺陷导致寻常光和非寻常光之间的光程差的差异，能够使得缺陷表征图像更加清晰的表现缺陷。而且，超连续激光发射器发射的激光光束具有连续的光谱，光谱范围可以包括从紫外光至红外光，从而可以测量出半导体材料中的各种缺陷，例如深能级缺陷、浅能级缺陷和杂质缺陷等，从而可以在缺陷表征图像中更准确的显示出各种缺陷，提高对半导体材料缺陷检测的全面性和准确性。
主权项：1.一种半导体材料的缺陷表征系统，其特征在于，包括：超连续激光发射器，用于发射激光光束；在所述超连续激光发射器和分光晶体之间的光路上，具有依次设置的起偏器、第一棱镜和第一透镜；所述起偏器用于使所述激光光束变为第一线偏振光；所述第一棱镜用于使所述第一线偏振光分解为寻常光和非寻常光；所述第一透镜用于使所述寻常光和非寻常光的出射方向平行；设置在所述分光晶体和样品位移台之间的光路上的显微镜，所述样品位移台用于放置所述半导体材料，所述分光晶体用于使所述寻常光和所述非寻常光入射至所述显微镜，以便所述显微镜进行聚焦；在所述分光晶体与所述光电探测器之间的光路上，具有依次设置的第二透镜、第二棱镜、检偏器和狭缝；所述第二透镜用于改变所述半导体材料的表面反射的寻常光和非寻常光经过所述分光晶体后的出射方向；所述第二棱镜用于将所述半导体材料的表面反射的寻常光和非寻常光会聚为第二线偏振光；所述狭缝用于使所述第二线偏振光发生干涉，并入射至所述光电探测器中；所述光电探测器用于将接收到的光信号转换为电信号；计算机，用于根据所述电信号显示所述半导体材料的表面的缺陷表征图像。
全文数据：
权利要求：
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