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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种与二维材料兼容的单晶Al2O3介质及其集成器件，通过在单晶石墨烯锗110衬底上范德华vdW外延单晶Al薄膜，将所述单晶Al薄膜从石墨烯锗衬底上剥离并进行插层氧化，在所述单晶Al薄膜的下表面生成与二维材料兼容的单晶Al2O3介质。本发明得到的单晶Al2O3介质的栅极漏电流J1×10‑5Acm‑2、界面态密度Dit＝8.4×109cm‑2eV‑1和介电强度Ebd＝17.4MVcm，可以满足IRDS对低功耗器件的要求。
主权项：1.一种与二维材料兼容的单晶Al2O3介质，其特征在于：在单晶石墨烯锗110衬底上范德华外延单晶Al薄膜，将所述单晶Al薄膜从石墨烯锗衬底上剥离并进行插层氧化，在所述单晶Al薄膜的下表面生成与二维材料兼容的单晶Al2O3介质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种与二维材料兼容的单晶Al2O3介质及其集成器件
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