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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：提供了用于对衬底进行加工的方法。某些膜包括含金属的膜当被沉积到半导体晶圆上时可能会造成缺陷和污染。本文的方法通过选择性地阻挡金属颗粒和含金属的材料的粘附来限制金属污染。方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括用自组装单层涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面，并通过光化辐射曝光感兴趣区域。光化辐射引起该中心区内该自组装单层内的去保护反应。该方法还包括从该感兴趣区域去除该自组装单层，而在该衬底的剩余表面上保留该自组装单层，从而阻挡金属颗粒和膜的粘附。
主权项：1.一种对衬底进行加工的方法，该方法包括：接收衬底，该衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面；用自组装单层SAM涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面；通过光化辐射曝光感兴趣区域，该光化辐射引起该感兴趣区域内该自组装单层内的去保护反应；以及从该感兴趣区域去除该自组装单层，而在该衬底的剩余表面上保留该自组装单层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 抑制晶圆上的缺陷、金属颗粒污染和膜生长的系统和方法
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