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申请/专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
摘要：本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险且控制背接触电池在正向电压区域内的漏电损耗。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和电介质层。在第三区域上，第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层沿半导体基底的厚度方向交叠设置，形成堆叠结构。电介质层沿半导体基底的厚度方向设置在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间的部分为第一电介质部。在电介质层中，在第一电介质部内设置有至少一个漏电通道。在第三区域上，沿第一区域至第二区域的方向，第一电介质部的宽度大于等于堆叠结构包括的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层中远离半导体基底的一者的宽度。
主权项：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底具有第一面和第二面；所述第一面具有间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；第一掺杂半导体层，设置于所述第一区域和所述第三区域上；第二掺杂半导体层，设置于所述第二区域和所述第三区域上；其中，所述第二掺杂半导体层和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反；在所述第三区域上，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层沿所述半导体基底的厚度方向交叠设置，以形成堆叠结构；电介质层，至少设置在所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间；所述电介质层沿所述半导体基底的厚度方向设置在所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间的部分为第一电介质部；在所述电介质层中，在所述第一电介质部内设置有至少一个漏电通道；在所述第三区域上，且沿所述第一区域至所述第二区域的方向，所述第一电介质部的宽度大于或等于所述堆叠结构包括的第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层中远离所述半导体基底的一者的宽度。
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