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申请/专利权人：西安电子科技大学

摘要：本发明公开了一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构，其特征在于，所述电荷泵锁相环加固结构包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、压控振荡器和分频器；在电荷泵与滤波器之间设有单粒子瞬态效应抑制电路；所述单粒子瞬态效应抑制电路中包括衰减电路、补偿电路、控制电路和选择电路。本发明能够减小甚至抑制单粒子轰击对滤波器输出电压的影响。

主权项：1.一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构，其特征在于，所述电荷泵锁相环加固结构包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、压控振荡器和分频器；在电荷泵与滤波器之间设有单粒子瞬态效应抑制电路；所述单粒子瞬态效应抑制电路中包括衰减电路、补偿电路、控制电路和选择电路；其中，鉴频鉴相器包括参考信号频率接收端、输出信号频率接收端，充电信号输出端和放电信号输出端；电荷泵的第一输入端连接鉴频鉴相器的充电信号输出端，第二输入端连接鉴频鉴相器的放电信号输出端；衰减电路的输入端连接电荷泵的输出端，输出端连接补偿电路的输入端，所述衰减电路用于对单粒子轰击后产生的充电电流和放电电流进行衰减，以使滤波器的输出电压保持恒定；所述补偿电路用于对单粒子轰击后产生的电流进行补偿，以使滤波器的输出电压保持恒定；选择电路的第一输入端连接补偿电路的输出端，第二输入端连接控制电路的输出端，输出端连接滤波器的输入端，所述选择电路用于对电荷泵输出的充电电流和放电电流进行控制；控制电路的输入端连接鉴频鉴相器的充电信号输出端和放电信号输出端，所述控制电路用于判断锁相环的工作状态；所述工作状态包括锁定状态和非锁定状态；滤波器的输出端连接压控振荡器的输入端；压控振荡器的输出端连接分频器的输入端；分频器的输出端连接鉴频鉴相器的输出信号频率接收端；其中，所述衰减电路包括：PMOS管M3、NMOS管M4、电阻R1和电阻R2；其中，PMOS管M3的源极接地，栅极接电源电压，漏极连接电阻R1，NMOS管M4的源极连接电阻R2，栅极接地，漏极接电源电压，电阻R1的a端口与电荷泵中PMOS管M1的漏端和PMOS管M3的漏端连接，电阻R2的c端口与电荷泵中NMOS管M2的漏端和NMOS管M4的源端连接，电阻R1和电阻R2的另一端与衰减电路的输出端b连接；所述电荷泵包括：PMOS管M1、电流源I1、NMOS管M2和电流源I2；其中，PMOS管M1的源极连接电流源I1，栅极连接鉴频鉴相器的充电信号输出端，漏极连接衰减电路，NMOS管M2的源极连接电流源I2，栅极连接鉴频鉴相器的放电信号输出端，漏极连接衰减电路。

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