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一种具有等离激元共振层的半导体激光元件 

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申请/专利权人:安徽格恩半导体有限公司

摘要:本发明涉及半导体光电器件技术领域,具体公开了一种具有等离激元共振层的半导体激光元件。该具有等离激元共振层的半导体激光元件,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层,所述上限制层上方具有等离激元共振层,所述等离激元共振层的介电常数具有y=ex+e‑xex‑e‑x第一象限曲线分布;该半导体激光元件,通过在上限制层上方设置等离激元共振层,等离激元共振层诱导有源层的自由电子与光场共振产生等离激元子共振和杂化,在界面处产生激光耦合共振增强效应,操纵激光与物质相互作用,增强光场限制效应和光场局域效应,调制光场模式,抑制驻波泄漏到衬底,提升光束质量因子及光功率。

主权项:1.一种具有等离激元共振层的半导体激光元件,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层,其特征在于,所述上限制层上方具有等离激元共振层,所述等离激元共振层的介电常数具有y=ex+e-xex-e-x第一象限曲线分布;所述等离激元共振层包括第一等离激元共振层和第二等离激元共振层,所述第一等离激元共振层的AlIn元素比例具有函数y=ex-e-xex+e-x曲线分布,所述第二等离激元共振层的AlIn元素比例具有一次函数分布;所述第一等离激元共振层的CIn元素比例具有函数y=logax曲线分布,其中,0<a<1,所述第二等离激元共振层的CIn元素比例具有一次函数分布。

全文数据:

权利要求:

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