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申请/专利权人：中北大学

摘要：本发明为一种采用HF气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法，属于MEMS传感器技术领域。该方法首先对SOI晶圆片进行硼离子掺杂，然后制备上下电极体及焊点，接着进行高温退火形成HF可穿透的种子层，之后制备形成电容空腔、振膜体，最后进行划片即得到电容式传感器。本发明是基于MEMS技术而提出的一种全新的电容式传感器的制备方法，该方法制备得到的传感器的体积可控制在较小范围内，制造过程具有出色的一致性，可以实现高度集成，同时成本相对较低且容易批量生产。因此，本发明方法相对于现有技术而言更具吸引力，能够在各个应用领域中产生重要的影响。

主权项：1.一种采用HF气体穿透种子层来制备电容式传感器的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）选用SOI晶圆片作为备片，SOI晶圆片自上而下依次为device层、oxide层和handle层；其中，device层上表面用于上电极体和焊点的设置，device层用于种子层和振膜体的设置，oxide层用于电容空腔和环状支撑壁的设置、handle层用于衬底层的设置，handle层下表面用于下电极体的设置；2）通过MEMS扩散工艺分别对device层和handle层进行硼离子掺杂；3）通过MEMS镀膜工艺分别对device层上表面以及handle层下表面溅射金属铬和金，最终在device层上表面形成上电极金属层、在handle层下表面均形成下电极金属层，并且下电极金属层的整体即形成下电极体；4）在上电极金属层上璇涂一层光刻胶，利用光刻技术将掩膜版图形转移到光刻胶上，以光刻胶图形做掩膜，采用湿法刻蚀技术对无光刻胶区域进行刻蚀，最终在上电极金属层形成呈矩形阵列排布的上电极体以及单个的焊点；5）通过高温退火工艺分别将上电极金属层与device层的硅以及下电极金属层与handle层的硅形成欧姆接触，并在device层形成HF可穿透的种子层；6）通过device层上的已图形化的种子层采用HF干法刻蚀技术透过图形化的种子层对device层硅下的oxide层进行刻蚀，最终在oxide层上位于每个上电极体正下方的位置释放形成电容空腔，oxide层剩余部分形成环状支撑壁；device层上位于每个电容空腔顶部的部分形成振膜体，handle层形成衬底层；7）将SOI晶圆片进行划片，得到电容式传感器。

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