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申请/专利权人：SOITEC公司
摘要：本发明涉及一种制造用于正面图像传感器的衬底的方法，所述方法包括：‑提供包括待转移的半导体层3a的供体衬底30，‑提供半导体载体衬底1，‑使供体衬底30与载体衬底1结合，电绝缘层2位于结合界面处，‑将半导体层3a转移至载体衬底1，‑将气体离子40经由经转移的半导体层3a和电绝缘层2注入到载体衬底1中，‑在注入之后，在经转移的半导体层3a上外延生长附加半导体层3b。
主权项：1.一种制造用于正面图像传感器的衬底的方法，所述方法包括：-提供包括待转移的半导体层3a的供体衬底30；-提供半导体载体衬底1；-使供体衬底30与载体衬底1结合，电绝缘层2位于结合界面处；-将半导体层3a转移至载体衬底1；-将气体离子40穿过经转移的半导体层3a和电绝缘层2注入到载体衬底1中；-在所述注入之后，在经转移的半导体层3a的顶部外延生长附加半导体层3b；以及-在适于由经注入的气体离子形成空穴的温度下进行的热处理，所述空穴形成用于俘获载体衬底1中的金属原子的层4，其中，所述热处理在外延生长附加半导体层3b的过程中进行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： SOITEC公司 制造用于正面图像传感器的衬底的方法
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