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申请/专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
摘要：本发明涉及一种光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片及其制备方法，步骤如下：（1）在半绝缘衬底上生长所述激光器一次外延结构，采用全息方法制备均匀光栅，并进行光栅的再生长；（2）采用单层SiN做掩膜，形成脊型结构，并采用化学腐蚀方法形成脊波导，接着对脊波导的表面进行处理，在外延设备中依次完成电流阻挡层和最后生长；（3）在样品表面制备P型和N型电极，形成共面电极结构，接着对激光器进行后续工艺制备完成芯片制备工艺。本发明通过对外延结构、材料生长的表面处理、芯片结构等方面进行优化调整，来实现含Al材料掩埋结构激光器的制备，并有效改善激光器可靠性优化、优化载流子注入过程、改善发热和高温性能。
主权项：1.一种光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片的制备方法，其特征在于：（1）在半绝缘衬底上生长所述激光器一次外延结构，采用全息方法制备均匀光栅，并进行光栅的再生长；（2）采用单层SiN做掩膜，形成脊型结构，并采用化学腐蚀方法形成脊波导，接着对脊波导的表面进行处理，在外延设备中依次完成电流阻挡层生长、去除SiN；接着完成最后生长；（3）在样品表面制备P型和N型电极，形成共面电极结构，接着对激光器进行后续工艺制备完成芯片制备工艺；在步骤（3）中：在样品的上表面制备P型和N型电极，形成共面电极，从而有效降低载流子注入路径，提高注入效率降低发热、改善高温特性；具体工艺过程为：在掩埋的脊型两侧采用溴素系腐蚀溶液腐蚀至N型InP缓冲层形成台面结构，台面一侧为沟槽，在沟槽一侧制备脊型开孔形成P面电极，在台面的另一侧制备N面电极，NP型电极采用相同的TiPtAu金属，进一步降低成本；最后将制备好的芯片解离成bar条，腔面蒸镀高反和高透光学膜，完成芯片制备。
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权利要求：
百度查询： 福建中科光芯光电科技有限公司 光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片及其制备方法
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