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申请/专利权人：北京怀柔实验室
摘要：一种金属层结构的制备方法、得到的产品及芯片制造方法，属于半导体制造工艺领域。所述金属层结构的图形化制备方法包括：在基底上形成第一可剥离介质层；在其上形成第二可剥离介质层；对两个可剥离介质层图案化，形成“檐”状双层剥离结构；在双层剥离结构上形成金属层；去除双层剥离结构，得厚度为0.1～50微米的目标金属层结构。本发明解决了厚金属层图形化的高精度难题，具备工艺成本低、工艺窗口大、工艺精度高、无需苛刻的光刻工艺要求等优势，极大提升了厚金属层图形化的工艺良率、简化了工艺流程。
主权项：1.一种金属层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在用于形成目标金属层的基底上通过第一可剥离介质形成第一可剥离介质层；在所述第一可剥离介质层上通过第二可剥离介质形成第二可剥离介质层；对所述第一可剥离介质层和第二可剥离介质层进行图案化，以形成双层剥离结构；其中，所述双层剥离结构包括堆叠的所述第一可剥离介质层和第二可剥离介质层，以及与目标金属层对应的开孔区域，环绕所述开孔区域，所述第一可剥离介质层相对第二可剥离介质层在横向方向向内凹进一段距离，形成“檐”状结构；在得到的所述双层剥离结构上形成金属层；去除所述双层剥离结构，得到目标金属层；所述目标金属层的厚度为0.1～50微米。
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