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申请/专利权人：华东师范大学

摘要：本发明涉及一种GeTeSb类超晶格相变薄膜材料及制备方法和射频开关，所述制备方法，采用磁控溅射方式，在Si‑SiO2基衬底上实现了GeTe和Sb相变薄膜材料交替堆叠组成的类超晶格相变开关层。本发明还提供一种GeTeSb类超晶格相变射频开关，包括由下至上依次设置的衬底层、底电极层、相变开关功能层、顶电极层、钝化层和射频传输层。本发明的GeTeSb类超晶格相变薄膜热稳定性好，通过采用GeTeSb类超晶格相变材料作为相变开关功能层，得到高速、低功耗、高开关比、优良射频性能的相变射频开关，有望应用于可重构无线通信系统中。

主权项：1.一种GeTeSb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：步骤1：Si-SiO2基衬底材料的预处理；步骤2：磁控溅射准备：将GeTe合金靶材和Sb靶材分别安装于射频溅射靶和直流溅射靶上，将Si-SiO2基衬底材料固定于样品托盘上，并将高真空磁控溅射系统的溅射腔室抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；步骤3：磁控溅射GeTeSb类超晶格相变薄膜材料：3.1：打开GeTe合金靶挡板，开启射频电源，预溅射1-5min，打开样品挡板，溅射完成后关闭样品挡板、射频电源和GeTe合金靶挡板，得到单层GeTe相变薄膜层；3.2：打开Sb靶挡板，开启射频电源，预溅射1-5min，打开样品挡板，溅射完成后关闭样品挡板、射频电源和Sb靶挡板，得到单层Sb相变薄膜层；3.3：交替进行步骤3.1和3.2，交替周期数为2≤n≤10，溅射结束得到GeTeSb类超晶格相变薄膜材料；其中：步骤1中，Si-SiO2基衬底材料的预处理，是对Si-SiO2基衬底材料进行清洗和吹干；清洗过程是将Si-SiO2基衬底材料先在乙醇溶液中超声清洗5-15分钟，再在丙酮溶液中超声清洗5-15分钟，最后用去离子水超声清洗5-15分钟，超声清洗完毕后使用高纯氮气吹干；步骤2中，正式开始溅射前磁控溅射腔室抽真空至≤5×10-5Pa，高纯氩气的体积百分比≥99.999％；步骤3中，溅射过程中磁控溅射腔室真空度为0.5-1.0Pa，氩气流量为50-100sccm，GeTe相变薄膜层的溅射速率为5-15sm，Sb相变薄膜层的溅射速率为5-15sm。

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