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基于SIP封装的高集成度TR模块散热结构 

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申请/专利权人:成都贡爵微电子有限公司

摘要:本发明属于相控阵天线技术领域,具体地涉及基于SIP封装的高集成度TR模块散热结构,其包括外壳、盖板和TR封装模块,所述TR封装模块固定安装在外壳内,TR封装模块包括高功率放大器,盖板上安装集热组件,集热组件包括导热腔,所述导热腔与高功率放大器接触,所述盖板上安装散热组件,所述导热腔上安装启闭组件,启闭组件与散热组件连接。本发明中的TR封装模块在工作时,高功率放大器所产生的部分热量通过导热片传导至导热腔,使高功率放大器的工作温度趋近与其他器件,通过集热组件能够对高功率放大器和其他器件均匀的散热,提高散热效率,使TR封装模块在工作下的整体温度均匀。

主权项:1.一种基于SIP封装的高集成度TR模块散热结构,其特征在于:其包括外壳(1)、盖板(2)和TR封装模块(4),所述TR封装模块(4)固定安装在外壳(1)内,所述TR封装模块(4)包括高功率放大器(41),所述盖板(2)上安装集热组件(6),集热组件(6)包括导热腔(61),所述导热腔(61)与高功率放大器(41)接触,所述盖板(2)上安装散热组件(5),所述外壳(1)上安装有插孔(3),插孔(3)与TR封装模块(4)连接,所述导热腔(61)上安装启闭组件(7),启闭组件(7)与散热组件(5)连接。

全文数据:

权利要求:

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