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申请/专利权人：徐州协鑫太阳能材料有限公司

摘要：本发明公开了一种制备致密石英坩埚高纯涂层的方法。首先，按现有工艺制备熔融石英坩埚，然后制备复合涂层浆料。接下来，在熔融石英坩埚的四面和底部分别涂刷高纯浆料A和C，完成涂层一和底部涂层二的制备。在四面和底楞R角涂刷高纯浆料B，完成涂层三的刷涂。将熔融石英坩埚放入中频感应反应炉中，在感应磁场内加热涂层一、涂层二和涂层三，使其迅速生成50‑200um的碳化硅涂层。然后，向反应炉通入氮气，控制炉压0.15～0.2MPA，使涂层稳定＞1400℃。反应放热，可自蔓延快速完成。反应结束后，放出氮气，完成熔融石英坩埚高纯涂层的制作。与现有技术相比，本申请的高纯涂层具有稳定致密性好、低氧含量的优点，并且涂层的加热方法可以精准快速地加热超薄涂层。

主权项：1.一种致密石英坩埚高纯涂层的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：a.按照现有注凝工艺制备熔融石英坩埚；b.制备复合涂层浆料，包括高纯浆料A、高纯浆料B和高纯浆料C，分别按照特定质量配比和制备步骤制备，然后持续搅拌备用；c.在熔融石英坩埚四面及底面涂刷高纯浆料A，完成涂层一的制备；d.在熔融石英坩埚底部涂刷高纯浆料C，完成底部涂层二的制备；e.在熔融石英坩埚四面及底楞R角涂刷高纯浆料B，完成涂层三的刷涂；f.将熔融石英坩埚放置于中频感应反应炉内，在感应磁场内加热涂层一、涂层二和涂层三，使其快速加热至温度≥1400℃，从而迅速生成50-200um的碳化硅涂层；g.向反应炉通入氮气，控制炉压0.15~0.2MPA，使涂层稳定＞1400℃，并完成剩余的硅与氮气反应生成氮化硅，此反应放热，可自蔓延快速完成；h.反应结束后放出氮气，完成熔融石英坩埚高纯涂层的制作；所述步骤b包括以下子步骤：（i）制备高纯浆料A，按照高纯碳：高纯硅：高纯粘结剂：去离子水的质量配比为1:1～1.2:0.2～0.4:1.5～2.2，使用甲基戊醇、聚乙二醇、聚丙烯酰胺的一种或多种作为分散剂进行悬浮液配制，配制后持续搅拌备用；（ii）制备高纯浆料B，按照高纯度硅：高纯粘结剂：水以质量比为1:0.4～0.8:0.51.的比例进行悬浮液制备，使用乳酸作为PH调节剂，使用甲基戊醇、聚乙二醇、聚丙烯酰胺的一种或多种作为分散剂，制备高纯硅浆料，配制后进行持续搅拌备用；（iii）制备高纯浆料C，按照氮化硅：水基硅胶：醇基硅胶：水的质量配比为1:0.3～0.4:0.3～0.4：1～1.35进行悬浮液配制，球磨10-20分钟均匀后，取出进行持续搅拌备用。

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