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申请/专利权人：北京特思迪半导体设备有限公司
摘要：本发明可应用于半导体领域，提供一种薄膜厚度确定方法及设备所述方法包括：获取薄膜加工过程中某一时刻的实测光谱数据；利用动态厚度信息库确定所述时刻的薄膜的厚度范围，并获取与所述厚度范围对应的多个参考光谱数据，所述动态厚度信息库包括所述时刻之前的时刻的膜厚，且所述厚度范围小于所述薄膜的预检测膜厚范围，所述参考光谱数据为预先根据薄膜的折射率、预检测膜厚范围建立的不同薄膜厚度下限定波长范围的反射率‑波长参考光谱曲线；将所述实测光谱数据与所述厚度范围对应的多个参考光谱数据进行匹配；根据匹配的参考光谱数据确定所述时刻的薄膜厚度。
主权项：1.一种薄膜厚度确定方法，其特征在于，包括：获取薄膜加工过程中某一时刻的实测光谱数据；利用动态厚度信息库确定所述时刻薄膜的厚度范围，并获取与所述厚度范围对应的多个参考光谱数据，所述动态厚度信息库包括所述时刻之前的时刻的膜厚，且所述厚度范围小于所述薄膜的预检测膜厚范围，所述参考光谱数据为预先根据薄膜的折射率、预检测膜厚范围建立的不同薄膜厚度下限定波长范围的反射率-波长参考光谱曲线；将所述实测光谱数据与所述厚度范围对应的多个参考光谱数据进行匹配；根据匹配的参考光谱数据确定所述时刻的薄膜厚度；利用所述时刻的薄膜厚度更新所述动态厚度信息库。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京特思迪半导体设备有限公司 薄膜厚度确定方法及设备
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