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申请/专利权人：苏州高芯众科半导体有限公司
摘要：本申请涉及半导体芯片表面涂层技术领域，具体涉及一种高致密度耐等离子侵蚀涂层的制备方法，包括以下步骤：采用等离子体喷涂技术在基材表面依次喷涂第一层涂层和第二层涂层；第一层涂层中所用喷涂粉体粒径为30‑70μm，第二层涂层中所用喷涂粉末粒径为1‑5μm；等离子体喷涂的工艺参数为：喷涂距离为5‑30mm，气体为ArHe，所用Ar和He流量分别为50‑120Lmin、He流量5‑30Lmin，送粉速度16‑25gmin，送粉角度60°‑90°，温度为12000‑13000℃。依据本申请制备的高致密度耐等离子侵蚀涂层，致密度高、孔隙度小、硬度大、强度高、涂层表面光滑且抗等离子体侵蚀性显著。
主权项：1.一种高致密度耐等离子侵蚀涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用等离子体喷涂技术在基材表面依次喷涂第一层涂层和第二层涂层；第一层涂层中所用喷涂粉体粒径为30-70μm，第二层涂层中所用喷涂粉末粒径为1-5μm；等离子体喷涂的工艺参数为：喷涂距离为5-30mm，喷涂气体为ArHe，所用Ar和He流量分别为50-120Lmin、5-30Lmin；电弧电压30-80V；电弧电流600-900A；送粉速度16-25gmin；送粉角度60°-90°；温度为12000-13000℃；所述第一层涂层为ZrB2-SiC-ZrC涂层，第二层涂层为Y2O3-La2O3陶瓷涂层。
全文数据：
权利要求：
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