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相稳定Ti80合金相变和位错活动的原子级模拟方法 

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申请/专利权人:上海大学

摘要:本发明涉及一种相稳定Ti80合金相变和位错活动的原子级模拟方法,包括以下步骤:建立基于介原子方法的EAM势函数;随机生成势函数待定系数,获取待测Ti80合金的材料参数,以待测Ti80合金的材料参数为目标,通过遗传算法对势函数待定系数优化求解,得到多个待测势函数;根据待测Ti80合金的拟合度、晶格构型和位错构型,检验各个待测势函数的相稳定能力、位错滑移能力和稳定性,得到符合待测Ti80合金的材料参数的势函数;根据符合待测Ti80合金的材料参数的势函数,计算并模拟Ti80合金的合金相变和位错活动过程。与现有技术相比,本发明具有能有效描述Ti80合金的相关物理性能和塑性变形机制等优点。

主权项:1.一种相稳定Ti80合金相变和位错活动的原子级模拟方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:建立基于介原子方法的EAM势函数;S2:随机生成势函数待定系数,获取待测Ti80合金的材料参数,以待测Ti80合金的材料参数为目标,通过遗传算法对势函数待定系数优化求解,得到多个待测势函数;S3:根据待测Ti80合金的拟合度、晶格构型和位错构型,检验各个待测势函数的相稳定能力、位错滑移能力和稳定性,得到符合待测Ti80合金的材料参数的势函数;S4:根据符合待测Ti80合金的材料参数的势函数,计算并模拟Ti80合金的合金相变和位错活动过程。

全文数据:

权利要求:

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