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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请提供了一种不同槽宽实现同步等速率刻蚀方法及掩膜获取方法，属于刻蚀工艺技术领域，其主要按照不同槽宽相互形成连通架构的掩膜设置，通过控制不同槽的长宽比，在现有刻蚀设备的工艺允许条件下，实现不同槽的同步刻蚀。刻蚀方法包括：S1：利用光刻方法在晶圆上制备按照行列排列的长宽不同的槽图案，且每一列中的槽制备成连通架构；S2：对S1获取的有槽图案的晶圆进行等离子体干法刻蚀，实现对不等槽宽的槽等速率刻蚀。本申请在不需要额外增加工艺掩膜、光刻、刻蚀等成本的前提下，以最简单的方法适用于各种等离子体深刻蚀工艺，具有较好的应用场景。
主权项：1.一种不同槽宽实现同步等速率刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：利用光刻方法在晶圆上制备按照行列排列的长宽不同的槽图案，且每一列中的槽制备成连通架构；S2：对S1获取的有槽图案的晶圆进行等离子体干法刻蚀，实现不等槽宽的等速率刻蚀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种不同槽宽实现同步等速率刻蚀方法及掩膜获取方法
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