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申请/专利权人：亮锐有限责任公司
摘要：半导体LED包括p掺杂层、n掺杂层和有源层，并且具有阳极电接触部和阴极电接触部、位于LED的侧表面上的侧向介电层和位于侧向介电层上的导电接合层。该接合层电耦接至阳极电接触部并且通过侧向介电层与有源层和n掺杂层的侧表面电绝缘。LED具有随着从其阳极接触表面朝向其光出射表面的距离增加而单调增加的截面积。侧表面形状被布置成使得LED或侧向介电层内的内部反射将由有源层发射且在LED内在逃逸锥外传播的光的一部分重定向以朝向逃逸锥内的n掺杂层的光出射表面传播。
主权项：1.一种发光元件，包括：半导体发光二极管LED，所述半导体发光二极管包括P掺杂半导体层、n掺杂半导体层以及在所述p掺杂层与n掺杂层之间的有源发光层，所述LED具有：i与所述有源层相对的所述n掺杂层的光出射表面；ii与所述有源层相对的所述p掺杂层的阳极接触表面；以及iii一个或多个侧表面，其侧向地限定所述n掺杂层的至少一部分、所述p掺杂层和所述有源层；阳极电接触部，其位于所述阳极接触表面上并电耦接至所述p掺杂层；阴极电接触部，其电耦接至所述n掺杂层；侧向介电层，其位于所述LED的所述一个或多个侧表面上；以及位于所述侧向介电层上的导电接合层，所述接合层电耦接至所述阳极电接触部并且通过所述侧向介电层与所述有源层和n掺杂层的侧表面电绝缘，所述LED具有侧表面形状，所述侧表面形状的特征在于截面面积，所述截面面积随着从所述p掺杂层的所述阳极接触表面朝向所述n掺杂层的所述光出射表面的距离的增加而单调增加，所述侧表面形状被布置成使得所述LED或侧向介电层内的内部反射将由所述有源层发射并且在所述LED内在逃逸锥外传播的光的一部分重定向以朝向所述逃逸锥内的所述n掺杂层的出射表面传播。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亮锐有限责任公司 用于发光阵列的光收集结构
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