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申请/专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要：本申请提出一种探测器芯片的杂质扩散方法及探测器芯片，其方法包括：在晶圆表面生长第一扩散阻挡层，第一扩散阻挡层为SiNxSiO2复合膜；对第一扩散阻挡层进行光刻后形成扩散窗口；在扩散窗口进行开管掺杂扩散，以形成第一深度扩散区；在第一扩散阻挡层以及扩散窗口表面生长第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层为SiNx增透膜；对晶圆进行退火处理，以形成第二深度扩散区。本申请提出的方法，能够降低残留在晶圆表面的扩散源对退火炉的污染，提高扩散效果；能够节约杂质扩散源的使用需求量，从而降低生产成本；能够缩短杂质扩散时长，减少整个工艺过程的工艺时长。
主权项：1.一种探测器芯片的杂质扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆表面生长第一扩散阻挡层，其中，所述第一扩散阻挡层为SiNxSiO2复合膜；对所述第一扩散阻挡层进行光刻后形成扩散窗口；在所述扩散窗口进行开管掺杂扩散，以形成第一深度扩散区；在所述第一扩散阻挡层以及所述扩散窗口表面生长第二扩散阻挡层，其中，所述第二扩散阻挡层为SiNx增透膜；对所述晶圆进行退火处理，以形成第二深度扩散区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉敏芯半导体股份有限公司 一种探测器芯片的杂质扩散方法及探测器芯片
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