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申请/专利权人：重庆邮电大学

摘要：本发明属于天线技术领域，具体涉及一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列；该双环阵列包括：上层金属面、介质基板、下层金属面以及开环辐射单元组，介质基板设置在上层金属面和下层金属面之间；在上层金属面上设置有金属面开槽；开环辐射单元组通过锥形平行双线分别与上层金属面和下层金属面连接；在毫米波端射宽带圆极化双环阵列上设置有第一金属化过孔和第二金属化过孔；将上层金属面、介质基板和下层金属面从右向左依次划分为GCPW结构、GCPW‑SIW结构和SIW结构；本发明为单层介质板结构，加工难度简单，成本低；对比现有技术，在结构简单的基础上保持了宽3dB轴比带宽和高增益，具有良好的经济效益。

主权项：1.一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，包括：上层金属面1、介质基板2、下层金属面3以及开环辐射单元组，介质基板2设置在上层金属面1和下层金属面3之间；在上层金属面1上设置有金属面开槽5；开环辐射单元组通过锥形平行双线6分别与上层金属面1和下层金属面3连接；在毫米波端射宽带圆极化双环阵列上设置有第一金属化过孔11和第二金属化过孔12；其中，第一金属化过孔11贯穿上层金属面1、介质基板2以及下层金属面3；第二金属化过孔12贯穿介质基板2；上层金属面开槽5包括第一上层金属面开条51和第二上层金属面开条52，第一上层金属面开条51和第二上层金属面开条52均包括直线金属面开条和斜线金属面开条，其中直线金属面开条与斜线金属面开条连接；将上层金属面1、介质基板2和下层金属面3从右向左依次划分为GCPW结构、GCPW-SIW结构和SIW结构；其中，GCPW结构由上层金属面开槽5的直线金属面开条与其对应部分的上层金属面1、介质基板2、下层金属面3以及第一金属化过孔11共同组成；GCPW-SIW结构由上层金属面开槽5的斜线金属面开条与其对应部分的上层金属面1、介质基板2、下层金属面3以及第一金属化过孔11共同组成；SIW结构由未设置上层金属面开槽5所对应的上层金属面1、介质基板2以及下层金属面3和该部分对应的第一金属化过孔11组成；开环辐射单元组包括至少1个开环辐射单元，开环辐射单元由两条偏移金属印刷条8、两条开路金属印刷条9、两条金属印刷条10以及两个第三金属化过孔13组成；上偏移金属印刷条8与上开路金属印刷条9连接，下偏移金属印刷条8与下开路金属印刷条9连接；一个第三金属化过孔13贯穿上偏移金属印刷条8与上开路金属印刷条9的连接处和下金属印刷条10，另一个第三金属化过孔13贯穿下偏移金属印刷条8与下开路金属印刷条9的连接处和上金属印刷条10；开环辐射单元组的开环辐射单元之间通过相位延迟线7串行连接。

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