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申请/专利权人：洪瑛
摘要：本发明涉及一种用于纳米线半导体装置的制造方法及竖直纳米线半导体装置。制造方法包括以下步骤：在衬底上形成晶种层；在晶种层上形成多层，第一导电层、半导体硅层以及第二导电层以所述次序沉积在多层中；使多层图案化以在衬底上形成竖直纳米线；通过热处理使纳米线结晶；形成覆盖纳米线的绝缘层；形成围绕由纳米线的半导体硅层界定的沟道区的栅极；以及形成电连接到栅极、第一导电层以及第二导电层的金属接垫。
主权项：1.一种制造纳米线半导体装置的方法，所述方法包括：在衬底上形成有氧化镍催化剂材料的晶种层；在所述晶种层上形成第一导电层、半导体层、第二导电层以及金属层依序堆叠在其中的多层；通过图案化所述多层来在所述衬底上的所述第一导电层上方形成包含所述半导体层以及所述第二导电层的竖直纳米线；通过金属诱导结晶热处理来使所述竖直纳米线结晶，其中所述结晶在与所述晶种层接触的所述第一导电层中开始并到达所述第二导电层，从而结晶诱导所述第一导电层和所述第二导电层的激活、形成具有单晶晶粒结构的所述竖直纳米线以及通过在所述金属诱导结晶中产生的所述催化剂材料的反应物形成在所述第二导电层和所述金属层之间的接触层；形成覆盖所述竖直纳米线的绝缘层；由所述竖直纳米线的所述半导体层形成围绕沟道区域的栅极；以及形成电连接到所述栅极、所述第一导电层以及所述第二导电层的金属接垫。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 洪瑛 竖直纳米线半导体装置和其制造方法
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