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申请/专利权人:中国科学院兰州化学物理研究所
摘要:本发明提供了一种阻氢同位素扩散材料及其制备方法和应用、一种第一壁材料及其应用,属于阻氢渗透材料技术领域。本发明提供的阻氢同位素扩散材料包括依次设置在钨基体表面的富氦钨层和纯钨层;所述富氦钨层中氦含量≥1×105ppm。本发明提供的阻氢同位素扩散材料具有膜‑基结合力高、相容性好,溅射阈值高、阻氢同位素扩散性能优异的特点。
主权项:1.一种阻氢同位素扩散材料,其特征在于,包括依次叠层设置在钨基体表面的富氦钨层和纯钨层;所述富氦钨层中氦含量≥1×105ppm。
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权利要求:
百度查询: 中国科学院兰州化学物理研究所 一种阻氢同位素扩散材料及其制备方法和应用、一种第一壁材料及其应用
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