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申请/专利权人：大连理工大学

摘要：一种增强型TL‑TCAM查表型硬件搜索引擎，每个字电路包括多个增强型TL‑TCAM单元电路，增强型TL‑TCAM单元电路包括四个存储单元和十三个N型晶体管；存储单元MC采用双稳态电路结构，存储值位于存储单元MC的T端，存储单元MC的F端为其“非”值，m个增强型TL‑TCAM单元电路并行连接在一起组成子段电路，m为正整数，子段电路中每个增强型TL‑TCAM单元电路的字线WL、匹配线ML、ML_x各自分别短接在一起，匹配线ML与N型晶体管N15的漏极相连，ML_x与N型晶体管N15的栅极相连，N型晶体管N15的源极接地，ML_x与N型晶体管N14的漏极相连，N型晶体管N14的源极接地，N型晶体管N14的栅极与信号线OneX_in‑Sement_b相连，多个子段电路并行连接组成一个字电路。本发明具有晶体管数少、搜索速度高、功耗低等优点。

主权项：1.一种增强型TL-TCAM查表型硬件搜索引擎，其特征在于，每个字电路包括多个增强型TL-TCAM单元电路，所述增强型TL-TCAM单元电路包括四个存储单元MC1-MC4和十三个N型晶体管N1-N13；存储单元MC采用双稳态电路结构，存储值位于存储单元MC的T端，存储单元MC的F端为其“非”值，N型晶体管N1的栅极与OneX相连，N型晶体管N1的源极接电源，N型晶体管N1的漏极与N型晶体管N2的源极相连，N型晶体管N2的漏极与N型晶体管N3的源极相连,N型晶体管N3的漏极与ML_X相连，N型晶体管N3的栅极与N型晶体管N7的源极相连，N型晶体管N7的栅极与XSL_11相连，N型晶体管N7的漏极与存储单元MC2的F端相连，存储单元MC2的T端与N型晶体管N6的源极相连，N型晶体管N6的栅极与LSL_11相连，N型晶体管N6的漏极与N型晶体管N5的源极相连，N型晶体管N5的栅极与LSL_00相连，N型晶体管N5的漏极与存储单元MC1的T端相连，存储单元MC1的F端与N型晶体管N4的源极相连，N型晶体管N4的栅极与XSL_00相连，N型晶体管N4的漏极与N型晶体管N12的源极相连，N型晶体管N12的栅极与字线WL相连，N型晶体管N12的漏极与位线BL1相连，N型晶体管N4的漏极通过MA线与N型晶体管N7的源极相连，N型晶体管N2的栅极与N型晶体管N8的源极相连，N型晶体管N8的栅极与XSL_10相连，N型晶体管N8的漏极与存储单元MC3的F端相连，存储单元MC3的T端与N型晶体管N9的源极相连，N型晶体管N9的栅极与LSL_10相连，N型晶体管N9的漏极与N型晶体管N10的源极相连，N型晶体管N10的栅极与LSL_01相连，N型晶体管N10的漏极与存储单元MC4的T端相连，存储单元MC3的F端与N型晶体管N11的源极相连，N型晶体管N11的栅极与XSL_01相连，N型晶体管N11的漏极与N型晶体管N13的源极相连，N型晶体管N13的栅极与字线WL相连，N型晶体管N13的漏极与位线BL2相连，N型晶体管N11的漏极通过MB线与N型晶体管N2的栅极相连，N型晶体管N5的源极通过匹配线ML与N型晶体管N9的漏极相连；m个增强型TL-TCAM单元电路并行连接在一起组成子段电路，m为正整数，子段电路中每个增强型TL-TCAM单元电路的字线WL、匹配线ML、ML_x各自分别短接在一起，匹配线ML与N型晶体管N15的漏极相连，ML_x与N型晶体管N15的栅极相连，N型晶体管N15的源极接地，ML_x与N型晶体管N14的漏极相连，N型晶体管N14的源极接地，N型晶体管N14的栅极与信号线OneX_in-Sement_b相连，多个子段电路并行连接组成一个字电路。

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