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申请/专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
摘要：本发明提供了一种PVD生长非掺杂ε‑Ga2O3薄膜及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，准备衬底和靶材，放入物理气相沉积设备的主沉积室；步骤S2，加热衬底至650℃以上，通入氧气作为生长气氛气体，采用锡元素0.5‑2.5％原子比含量的氧化镓靶材，在衬底上沉积第一层薄膜；步骤S3，在第一层薄膜的表面沉积氧化铝层作为扩散阻挡层；步骤S4，采用纯氧化镓靶材，在氧化铝层的表面进行薄膜沉积；降至室温，得到非掺杂ε‑Ga2O3薄膜。本发明的技术方案利用脉冲激光沉积系统制备的非掺杂ε‑Ga2O3光电探测器比掺锡ε‑Ga2O3器件具有高得多的PDCR值。
主权项：1.一种PVD生长非掺杂ε-Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1，准备衬底和靶材，放入物理气相沉积设备的主沉积室；步骤S2，加热衬底至650℃以上，通入氧气作为生长气氛气体，采用锡元素0.7％-3％原子比含量的氧化镓靶材，在衬底上沉积第一层薄膜；步骤S3，在第一层薄膜的表面沉积氧化铝层作为扩散阻挡层；步骤S4，采用纯氧化镓靶材，加热衬底至650℃以上，通入氧气作为生长气氛气体，在氧化铝层的表面进行薄膜沉积；降至室温，得到非掺杂ε-Ga2O3薄膜。
全文数据：
权利要求：
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