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一种PIN半导体探测器开启电压的自校准测量方法 

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申请/专利权人:湘潭大学

摘要:本发明公开了一种PIN半导体探测器开启电压的自校准测量方法,属于半导体技术领域,包括以下步骤:对PIN半导体探测器进行变温开启电压实验,获取PIN半导体探测器的工作温度与正向开启电压的对应关系;实时获取PIN半导体探测器上施加的正向开启电压大小;根据PIN半导体探测器工作温度与正向开启电压的对应关系,确定当前PIN半导体探测器的工作温度,并计算确定当前PIN半导体探测器的反向暗电流大小;根据计算得到的反向暗电流大小对PIN半导体探测器的信号电流进行校准。本发明无需外加温度检测模块即可实现PIN半导体探测器的内部工作温度自检测,简化了探测系统,增加了系统可靠性。

主权项:1.一种PIN半导体探测器开启电压的自校准测量方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:对PIN半导体探测器进行变温开启电压实验,获取PIN半导体探测器的工作温度与正向开启电压的对应关系;S2:实时获取PIN半导体探测器上施加的正向开启电压大小;S3:根据PIN半导体探测器工作温度与正向开启电压的对应关系,确定当前PIN半导体探测器的工作温度,并计算确定当前PIN半导体探测器的反向暗电流大小;S4:根据计算得到的反向暗电流大小对PIN半导体探测器的信号电流进行校准。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 湘潭大学 一种PIN半导体探测器开启电压的自校准测量方法

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