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申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司
摘要：本发明提供了一种包含晶界扩散复合膜的烧结钕铁硼磁体及其制备方法、改性烧结钕铁硼磁体及其制备方法。包含晶界扩散复合膜的烧结钕铁硼磁体包括烧结钕铁硼磁体和包覆于烧结钕铁硼磁体至少一个表面上的晶界扩散复合膜；晶界扩散复合膜包括交替层叠设置的Dy膜和Tb膜，其中，与烧结钕铁硼磁体表面接触设置的为Tb膜。本申请的Tb元素和Dy元素可以渗透进入磁体内部，提升磁体矫顽力。而由于受扩散速率和深度的限制，烧结钕铁硼磁体最外层的重稀土难以渗透进入烧结钕铁硼磁体内部，且对内禀矫顽力的贡献较小。
主权项：1.一种包含晶界扩散复合膜的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述包含晶界扩散复合膜的烧结钕铁硼磁体包括烧结钕铁硼磁体和包覆于所述烧结钕铁硼磁体至少一个表面上的晶界扩散复合膜；所述晶界扩散复合膜包括交替层叠设置的Dy膜和Tb膜，其中，与所述烧结钕铁硼磁体表面接触设置的为所述Tb膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 横店集团东磁股份有限公司 包含晶界扩散复合膜的烧结钕铁硼磁体及其制备方法、改性烧结钕铁硼磁体及其制备方法
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