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申请/专利权人：中北大学
摘要：本发明涉及光辅助储能电极材料领域，尤其涉及一种碳布载CuSSnS2异质结构光辅助电极材料、制备及应用。所述方法先对碳布进行预处理，然后将预处理后的碳布浸渍于氯化锡、柠檬酸以及硫脲的混合水溶液中，反应得到SnS2@CC；然后将SnS2@CC与硫代乙酰胺、硫酸铜反应后的棕色悬浮液混合反应，获得CuSSnS2@CC，即为碳布载CuSSnS2异质结构光辅助电极材料。本发明采用原位负载法在碳布基底上负载CuSSnS2异质结构，异质结构的形成大大提高了光生载流子的分离效率，使光辅助充电能力大大提高，从而提高电极的比容量以及容量保持率。
主权项：1.一种碳布载CuSSnS2异质结构光辅助电极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：碳布的预处理S2：SnS2@CC的制备将氯化锡、柠檬酸以及硫脲混合获得混合水溶液，将预处理后的碳布与混合水溶液混合，于密封容器内加热反应；自然冷却至室温后，取出附着有SnS2的碳布，采用去离子水冲洗，烘干，得到SnS2@CC；S3：CuSSnS2@CC的制备将硫代乙酰胺的乙二醇溶液加入至硫酸铜的水溶液中，混合反应后，得到棕色悬浮液；然后将SnS2@CC与棕色悬浮液于密封容器内加热反应；自然冷却至室温，取出附着有SnS2和CuS的碳布，采用去离子水冲洗，烘干，获得CuSSnS2@CC，即为碳布载CuSSnS2异质结构光辅助电极材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中北大学 碳布载CuS/SnS2异质结构光辅助电极材料、制备及应用
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