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申请/专利权人：苏州旭创科技有限公司
摘要：本申请公开了一种InAs量子点激光器及其制备方法。InAs量子点激光器包括依次层叠的GaAs衬底、下包覆层、多个InAs量子点有源区和上包覆层；各InAs量子点有源区包括依次层叠的第一InGaAs量子井层、量子点层、第二InGaAs量子井层以及GaAs间隔层；其中，量子点层中无掺杂源，各InAs量子点有源区的GaAs间隔层的平均厚度为10~50nm。本申请中量子点层中无掺杂源，通过合理控制各GaAs间隔层的平均厚度，使得量子点的均匀性逐渐提升，线展宽因子降低，激光器的抗反射性能就更强。其中，抗反射性能至少可以提升至‑10dB以上，如此就能够将光模块中的隔离器移除，以解决具有隔离器的光模块导致体积大、成本高、集成度低的技术问题。
主权项：1.一种InAs量子点激光器，其特征在于，包括依次层叠的GaAs衬底、下包覆层、多个InAs量子点有源区和上包覆层；各所述InAs量子点有源区均包括依次层叠的第一InGaAs量子井层、量子点层、第二InGaAs量子井层以及GaAs间隔层；其中，所述量子点层中无掺杂源，各所述InAs量子点有源区的GaAs间隔层的平均厚度为10~50nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州旭创科技有限公司 InAs量子点激光器及其制备方法
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