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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本文公开了具有调节的上部纳米线的全环绕栅极集成电路结构的制造。描述了具有调节的上部纳米线的全环绕栅极集成电路结构。例如，集成电路结构包括水平纳米线的第一竖直布置结构、以及位于水平纳米线的第一竖直布置结构之上的水平纳米线的第二竖直布置结构。P型栅极堆叠体位于水平纳米线的第一竖直布置结构之上，该P型栅极堆叠体具有位于包括第一偶极材料的第一栅极电介质之上的P型导电层。N型栅极堆叠体位于水平纳米线的第二竖直布置结构之上，该N型栅极堆叠体具有位于包括第二偶极材料的第二栅极电介质之上的N型导电层，其中，第二偶极材料具有比第一偶极材料更大数量的层，或者其中，第二偶极材料不包括第一偶极材料。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：水平纳米线的第一竖直布置结构；水平纳米线的第二竖直布置结构，所述水平纳米线的第二竖直布置结构位于所述水平纳米线的第一竖直布置结构之上；P型栅极堆叠体，所述P型栅极堆叠体位于所述水平纳米线的第一竖直布置结构之上，所述P型栅极堆叠体具有位于包括第一偶极材料的第一栅极电介质之上的P型导电层；以及N型栅极堆叠体，所述N型栅极堆叠体位于所述水平纳米线的第二竖直布置结构之上，所述N型栅极堆叠体具有位于包括第二偶极材料的第二栅极电介质之上的N型导电层，所述第二偶极材料具有比所述第一偶极材料更大数量的层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有调节的上部纳米线的全环绕栅极集成电路结构的制造
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