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申请/专利权人:扬州君瑞得科技有限公司
摘要:本发明公开了一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法,涉及显示屏制备技术领域;本发明通过对MicroLED阵列在通电检查测试时间段内的的电压估值、差异估值、预期漏电电流以及极端漏电电流进行综合分析得到修复评估指数,为MicroLED阵列的修复和优化提供了一个综合的评估指标,进一步计算修复差值并将其与设定的差值取值范围匹配,可以快速确定每个MicroLED阵列的修复等级,从而将其送往最合适的修复车间,提高了制备得到效率和智能化程度。
主权项:1.一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,包括:步骤一:制备MicroLED阵列,采用自动化检测设备对每个MicroLED阵列进行通电检查,并记录相关参数进行分析,得到对应MicroLED阵列的修复评估指数α;得到修复评估指数α的具体过程为:设定通电检查的测试时间段,获取测试时间段内MicroLED阵列在正常工作条件下的正向电压变化情况,提取测试时间段内各时间点的正向电压,利用标准差公式对各时间点的正向电压进行计算,得到MicroLED阵列的电压变值,同时提取各时间点正向电压中的最高正向电压和最低正向电压,对两者进行差值的计算,作为MicroLED阵列的电压差值;设定MicroLED阵列电压变值和电压差值的权重系数,将MicroLED阵列的电压变值和电压差值分别与对应的权重系数相乘,然后将相乘的结果求和,作为MicroLED阵列的电压估值Da;获取测试时间段内MicroLED阵列在不同电压下的电流值,同时测量MicroLED阵列电极的有效面积,将获取的电流值与有效面积通过公式J=KA进行计算,得到电流密度;其中K是电流值,A是电极的有效面积;测量MicroLED阵列在不同电流密度下的亮度和发光面积,将亮度乘以发光面积,得到光通量,对得到的光通量进行转换,得到MicroLED阵列的发光功率并记为;并通过公式计算MicroLED阵列的电功率;其中V为具体施加的电压;通过进行计算,得到MicroLED阵列在不同电流密度下的发光效率,利用标准差公式对不同电流密度下的发光效率进行计算,将计算的值作为MicroLED阵列的差异估值Db;对测试时间段内MicroLED阵列施加设定的反向偏压,设定的反向偏压包括预期反向偏压和极端反向偏压,并在每个施加的反向偏压下,测量通过MicroLED阵列的反向漏电电流并进行记录,将预期反向偏压和极端反向偏压下的漏电电流值分别标记为Dc和Ds;将MicroLED阵列在通电检查测试时间段内的电压估值Da、差异估值Db、预期漏电电流Dc以及极端漏电电流Ds代入公式,进行加权计算得到对应MicroLED阵列的修复评估指数;其中、、以及分别表示允许最大电压估值、允许最大差异估值、允许最高预期漏电电流以及允许最高极端漏电电流;ea1、ea2、ea3以及ea4分别为电压估值Da、差异估值Db、预期漏电电流Dc以及极端漏电电流Ds的影响权重因子;步骤二:基于制备的质量标准,设定修复评估指数α的参考阈值,根据对应MicroLED阵列修复评估指数α的比对结果,将对应MicroLED阵列输送至对应车间;具体为:将MicroLED阵列的修复评估指数α与设定的参考阈值进行比对,若小于设定的参考阈值,则生成输送至固化车间进行固化工序;若大于设定的参考阈值,则生成修复信令,计算修复评估指数α与参考阈值之间的差值,并将计算的差值记为修复差值,设定修复差值对应的各差值取值范围,每个差值取值范围分别对应一个修复等级,将MicroLED阵列的修复差值与设定的各差值取值范围进行匹配,得到MicroLED阵列的修复等级;修复等级分为一般修复等级、中等修复等级以及严重修复等级;设定一般修复、中等修复以及严重修复分别对应一般修复车间、中等修复车间以及严重修复车间;基于MicroLED阵列的修复等级,将MicroLED阵列输送至对应的修复车间;步骤三:选取胶体材料后,将对应MicroLED阵列浸泡到选取的胶体材料中,基于胶体材料的特性,设定MicroLED阵列的固化时间段,并实时监测固化过程,在到达设定固化时间段中间点时,对中间点前监测时间段内固化过程的参数变化进行分析,得到优化调节指数β;步骤四:基于对应MicroLED阵列在中间点前监测时间段内的优化调节指数β,将得到的优化调节指数β与设定的参考阈值进行比对,若大于设定的参考阈值,则触发预警信令,暂停MicroLED阵列的固化,并将触发的预警信令以及优化调节指数β发送至管理人员的移动终端内,管理人员在接收到预警信令后,基于优化调节指数β对加热元件和压力控制系统进行远程调节,调节后,对MicroLED阵列基于中间点剩余固化时间段继续进行固化;步骤五:胶体固化完成后,对显示屏进行一系列的预处理步骤,形成薄膜结构的柔性显示屏体,并进行后续的测试和检查。
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