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申请/专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
摘要：本发明公开了一种自旋门逻辑器件及扩展自旋多数门逻辑器件，属于自旋逻辑器件领域，包括：呈“一”字型排列的三个扩展磁隧道结，分别作为输入MTJ1、输入MTJ2和输出MTJ；扩展磁隧道结自下往上依次包括底部重金属层、自由层、氧化层、固定层、反铁磁层和顶部重金属层，各扩展磁隧道结的底部重金属层彼此连接以及自由层彼此连接；当底部重金属层中注入有平行于膜面的电流、输入MTJ1和输入MTJ2的顶部重金属层中均注入有垂直于膜面的电流时，在自由层中产生STT效应和SOT效应以改变自由层的磁化方向，使得自旋门逻辑器件实现“与”逻辑功能或者实现“或”逻辑功能。利用STT效应和SOT效应构建自旋门逻辑器件，可降低器件复杂度和功耗。
主权项：1.一种自旋门逻辑器件，其特征在于，包括三个呈“一”字型排列的扩展磁隧道结，分别作为输入MTJ1、输入MTJ2和输出MTJ；所述扩展磁隧道结自下往上依次包括底部重金属层、自由层、氧化层、固定层、反铁磁层和顶部重金属层，各所述扩展磁隧道结的底部重金属层彼此连接以及自由层彼此连接；当所述底部重金属层中注入有平行于膜面的电流、所述输入MTJ1和所述输入MTJ2的顶部重金属层中均注入有垂直于膜面的电流时，在所述自由层中产生STT效应和SOT效应以改变所述自由层的磁化方向，使得所述自旋门逻辑器件实现“与”逻辑功能或者实现“或”逻辑功能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 深圳华中科技大学研究院 自旋门逻辑器件及扩展自旋多数门逻辑器件
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