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申请/专利权人：灿芯半导体(上海)股份有限公司

摘要：本发明提供了一种新型的LDO防倒灌电流电路，包括误差放大器EA、调整管MP、反馈电阻网络RA和RB、衬底电位选择电路BULKSEL以及负载电容CL和负载电阻RL；BULKSEL比较输入电压VIN与输出电压VOUT的大小，并输出两者中最大的电位作为衬底VPBULK的电位，当输出端电压高于输入电压时，能使得衬底寄生的二极管两端电位相等，从而消除正偏，避免了电流的倒灌以及调整管MP的损坏。

主权项：1.一种LDO防倒灌电流电路，其特征在于：包括误差放大器EA、调整管MP、反馈电阻网络RA和RB、衬底电位选择电路BULKSEL以及负载电容CL和负载电阻RL；输入电压VIN与功率管MP的源极连接，功率管MP的漏极为输出电压VOUT；VOUT经反馈电阻网络RA和RB分压后得到的负反馈电压FB连接至误差放大器EA的反相输入端，误差放大器EA的同相输入端连接参考电压VREF；误差放大器EA的输出端与功率管MP的栅极连接，衬底电位选择电路BULKSEL与功率管MP的衬底连接，BULKSEL比较VIN与VOUT的大小，并输出两者中最大的电位作为衬底VPBULK的电位；误差放大器EA的电源电压为VPBULK；衬底电位选择电路BULKSEL包括电压比较器、波形整形电路以及电平选择电路；电压比较器对输入的VIN和VOUT进行比较，经波形整形电路整形后，再由电平选择电路选择两者中的最大电位作为VPBULK输出；所述电压比较器包括M1-M10、R1-R3，波形整形电路包括M11-M17，电平选择电路包括M18、M19和R4、R5；其中M3、M4、M5、M6、M10、M14、M15、M17、M19为NMOS管，M1、M2、M7、M8、M9、M11、M12、M13、M16、M18为PMOS管，R1-R5为电阻；M3、M4的衬底以及M5、M6、M10、M14、M15、M17、M19的源极和衬底均接地；M9、M11、M12、M13、M16的源极和衬底接输出VPBULK；电阻R1的一端接VIN，另一端接M1的源极和衬底；电阻R2的一端接VOUT，另一端接M2、M7的源极和衬底；M1、M2、M7的栅极相连并接到M1的漏极，M1的漏极再与M3的漏极相接；M2的漏极与M4、M8的漏极以及M9、M10的栅极相连；M3与M4的栅极相接到BIAS1，M5与M6的栅极相接到BIAS2，BIAS1和BIAS2为外部供给的偏置；M3的源极与M5的漏极相接，M4的源极与M6的漏极相接；M7的漏极与M8的源极、衬底相接，M8的栅极与M11和M14的栅极、M10的漏极以及电阻R3相接，电阻R3的另一端与M9的漏极相接；M11的漏极与M12和M14的漏极、M13和M15的栅极相接；M12的栅极与M13和M15的漏极以及M16、M17和M19栅极相接；M16的漏极与M17的漏极、M18的栅极相接；电阻R4的一端接VIN，另一端与M18的漏极相连；电阻R5的一端接VOUT，另一端与M19的漏极连接；M18、M19的源极和衬底相接并与输出VPBULK相连。

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