龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉科技大学
摘要：本发明提供一种垂直电流驱动双层纳米带内横向畴壁振荡的振荡器，涉及材料技术领域，本发明包括由硬磁性材料构成的垂直磁化层和由软磁性材料构成的面内磁化层，面内磁化层叠加在垂直磁化层顶部，垂直磁化层和面内磁化层的厚度均为32nm，宽度均为32，长度均为40‑300nm，本发明可抑制涡旋的形成，保证纳米带能形成横向畴壁，并使横向畴壁形成稳定的周期振荡。
主权项：1.一种垂直电流驱动双层纳米带内横向畴壁振荡的振荡器，包括由硬磁性材料构成的垂直磁化层和由软磁性材料构成的面内磁化层，面内磁化层叠加在垂直磁化层顶部，其特征在于，垂直磁化层和面内磁化层的厚度均为32nm，宽度均为32nm，长度相同、均为40-300nm,所述垂直磁化层和所述面内磁化层配合形成长方柱形的振荡器；所述硬磁性材料采用FePt合金，或所述硬磁性材料为饱和磁化强度大于7×105Am，且磁各向异性大于2.5×105Jm3的其他硬磁性材料,所述面内磁化层的磁各向异性为0；所述软磁性材料采用坡莫合金；所述垂直磁化层的磁矩方向相对水平面垂直，所述面内磁化层的磁矩方向相对水平面平行，直流电垂直于所述垂直磁化层流入并经过所述面内磁化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉科技大学 一种垂直电流驱动双层纳米带内横向畴壁振荡的振荡器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号