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申请/专利权人：NANO科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供一种背照射光探测阵列结构，包括：光聚焦结构、基底、光收集结构、光电二极管、填充物质。本发明还提供一种背照射光探测阵列结构的制备方法。本发明提出了一种新型光电管阵列的设计，同时集成光聚焦结构和光收集结构，可有效提升基于小尺寸光电二极管阵列的传感器系统的外量子效率，大幅提升整体的光接收效率；对于高速光通讯的应用场景，通常只需要1颗或4～8颗光电探测器即可，本发明的结构设计同样可以降低电容和暗电流，同时保证具有较高的响应度，与光纤耦合时也具有较大的对准容差。
主权项：1.一种背照射光探测阵列结构，其特征在于，用于提升基于小尺寸光电二极管阵列的传感器系统的外量子效率；包括：光收集结构，入射光在所述光收集结构内部经多次反射后经所述光收集结构的尾端面射出；所述光收集结构包括：至少一个台面，所述台面的内壁对入射光进行多次反射后由设置于所述台面的尾端面的所述光电二极管将出射光吸收；光聚焦结构，位于所述光收集结构的首端面，用于将外界信号光聚焦到所述光收集结构的内部；所述光聚焦结构包括：至少一个对应于所述台面的微透镜，所述微透镜将外界信号光聚焦到与其对应的所述台面的内部；填充在所述台面之间的填充物质；所述填充物质为聚合物填充物质或SiO2填充物质，所述SiO2填充物质使用CMP工艺进行磨平，所述聚合物填充物质通过匀胶方式进行填平；光电二极管，位于所述光收集结构尾端面的表面，用于吸收所述光收集结构射出的光，且所述光电二极管为锗硅光电二极管或锗硅雪崩型光电二极管；基底，所述光收集结构位于所述基底的顶面，所述光聚焦结构位于所述基底的背面；制备方法为：第一步：先在硅晶圆上制备光电二极管阵列；其中，无需在台面的内部制备光电二极管；第二步：在所述光电二极管阵列的顶部制备光收集结构；所述台面使用SiO2、SiN或聚合物材料单独制备后并使用胶贴合在所述光电二极管的顶部；第三步：在所述光收集结构的台面的外壁上制备介质层；第四步：使用填充物质将所述台面之间的空间填平；第五步：制备光电二极管的电极和金属连接走线以及用于键合的金属端面；第六步：在所述硅晶圆的背面制备微透镜阵列。
全文数据：
权利要求：
百度查询： NANO科技(北京)有限公司 一种背照射光探测阵列结构及其制备方法
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