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申请/专利权人：浙江晶越半导体有限公司
摘要：本发明涉及莫桑石生产技术领域，尤其涉及一种高效率高产能无色莫桑石的制造方法，所述方法包括以下步骤：（S.1）将半绝缘晶种经过切割，得到具有规则形状的晶种；（S.2）在具有规则形状的晶种表面涂覆胶水并将其进行排列以及拼接，得到大尺寸拼接晶种；（S.3）将大尺寸拼接晶种粘结于柔性基底表面，随后在柔性基底的另一面涂覆胶水；（S.4）将柔性基底连同大尺寸拼接晶种粘结于物理气相沉积装置内，并通过物理气相沉积在大尺寸拼接晶种表面沉积碳化硅晶体，从而形成无色莫桑石。本申请通过将小尺寸晶种经过切割以及拼接成大尺寸拼接晶种，并将其粘结与柔性基底表面进行沉积，从而在提升了无色莫桑石的制备效率的前提下降低了莫桑石的损耗率。
主权项：1.一种高效率高产能无色莫桑石的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（S.1）将半绝缘晶种经过切割，得到具有规则形状的晶种；（S.2）在具有规则形状的晶种表面涂覆胶水并将其进行排列以及拼接，得到大尺寸拼接晶种；（S.3）将大尺寸拼接晶种粘结于柔性基底表面，随后在柔性基底的另一面涂覆胶水；（S.4）将柔性基底连同大尺寸拼接晶种粘结于物理气相沉积装置内，并通过物理气相沉积在大尺寸拼接晶种表面沉积碳化硅晶体，从而形成无色莫桑石。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江晶越半导体有限公司 一种高效率高产能无色莫桑石的制造方法
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