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申请/专利权人：吉光半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及提供一种单模、低电阻的垂直腔面发射半导体激光器，包括衬底，在衬底上生长有外延结构，外延结构包括从下至上的底部DBR层、模式控制层、间隔层、顶部DBR层和欧姆接触层，在间隔层内设置有电流限制层和有源层，模式控制层对应于基模的位置刻蚀有通孔，模式控制层通过高掺杂实现对高阶模式的吸收，在模式控制层上生长有底部接触电极，在欧姆接触层上生长有顶部接触电极。本发明通过模式控制层实现对高阶模式的吸收，可以适当增大电流限制孔的孔径，降低VCSEL的串联电阻，提升VCSEL的输出功率。由于VCSEL的内部电流不经过底部DBR层，还可以进一步降低VCSEL的串联电阻。
主权项：1.一种单模、低电阻的垂直腔面发射半导体激光器，包括衬底，其特征在于：在所述衬底上生长有外延结构，所述外延结构包括从下至上的底部DBR层、模式控制层、间隔层、顶部DBR层和欧姆接触层，在所述间隔层内设置有电流限制层和位于所述电流限制层下方的有源层，所述间隔层的带隙大于所述有源层的带隙，所述模式控制层对应于基模的位置刻蚀有通孔，所述模式控制层通过高掺杂实现对高阶模式的吸收，在所述模式控制层上生长有底部接触电极，在所述欧姆接触层上生长有顶部接触电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉光半导体科技有限公司 单模、低电阻的垂直腔面发射半导体激光器
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