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申请/专利权人：郑州大学
摘要：本公开提供了一种幽门螺旋杆菌耐药性检测用薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用，制备方法包括：基于亚间隙态密度分布和迁移率模型优化薄膜厚度，以实现渗流效应与缺陷密度之间的协同平衡；根据优化结果制作薄膜场效应晶体管阵列；对薄膜场效应晶体管阵列的传感器的表面功能化；对表面功能化后的薄膜场效应晶体管阵列进行性能测试；经过性能测试得到目标薄膜场效应晶体管阵列。本公开实施例的方法能够得到电流开关比大、载流子迁移率高、器件性能稳定的薄膜场效应晶体管阵列。
主权项：1.一种幽门螺旋杆菌耐药性检测用薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：基于亚间隙态密度分布和迁移率模型优化薄膜厚度，以实现渗流效应与缺陷密度之间的协同平衡；根据优化结果制作薄膜场效应晶体管阵列；对所述薄膜场效应晶体管阵列的传感器的表面功能化；对表面功能化后的所述薄膜场效应晶体管阵列进行性能测试；经过性能测试得到目标薄膜场效应晶体管阵列。
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百度查询： 郑州大学 幽门螺旋杆菌耐药性检测用薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用
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