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申请/专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
摘要：本发明提供一种微型金刚石阵列电极及其制备方法。包括：在绝缘层上制备钽金属层；在钽金属层上制备氮化硅保护层并进行第一图形化；在氮化硅保护层上制备二氧化硅牺牲层并进行第二图形化；在二氧化硅牺牲层上制备金刚石薄膜层并进行第三图形化。本发明采用MEMS技术结合二氧化硅牺牲层的图形化处理将BDD薄膜加工成超微电极阵列，进而提高BDD电极在电化学检测中的响应电流密度、提高信噪比和降低检测限。控制电极间距与其特征尺寸之比大于10，使得电极表面的离子扩散以非线性扩散为主，具有传质速度快、电流密度高和欧姆压降小等特点，在提高电化学检测的响应电流、提高信噪比和降低检测限方面具有独特的优势。
主权项：1.一种微型金刚石阵列电极的制备方法，其特征在于，包括：在绝缘层上制备钽金属层；在所述钽金属层上制备氮化硅保护层并进行第一图形化，其中，所述第一图形化使得所述氮化硅保护层镂空形成阵列排布的第一窗口，暴露出所述钽金属层，所述第一窗口的间距与所述第一窗口的特征尺寸之比大于10；在所述氮化硅保护层上制备二氧化硅牺牲层并进行第二图形化，其中，所述第二图形化使得所述二氧化硅牺牲层镂空形成阵列排布的第二窗口，暴露出所述钽金属层，所述第二窗口与所述第一窗口位置及特征尺寸一致；在所述二氧化硅牺牲层上制备金刚石薄膜层并进行第三图形化，包括：在所述二氧化硅牺牲层上制备金刚石薄膜层，所述金刚石薄膜层为掺硼金刚石薄膜层；去除所述二氧化硅牺牲层，使得只保留所述第二窗口处的金刚石薄膜层，在所述第二窗口处形成金刚石薄膜阵列；其中，所述第三图形化使得所述金刚石薄膜层在所述第二窗口处行形成金刚石薄膜阵列，构成金刚石阵列电极。
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百度查询： 中国科学院空天信息创新研究院 微型金刚石阵列电极及其制备方法
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