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申请/专利权人：西南交通大学
摘要：本发明基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，操作简单，成本低，选用双层悬空纳米结构纳米材料，先采用蚀刻溶液形成单层纳米结构纳米材料，再采用金属辅助化学蚀刻工艺，形成空心纳米线结构，从而进一步制备具有高比表面积的基于空心硅纳米线结构氢气传感器。本发明还提供了氢气传感器。
主权项：1.基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、前处理：采用含有蚀刻剂与氧化剂的蚀刻溶液处理双层悬空纳米结构纳米材料，得到单层纳米结构纳米材料，所述单层纳米结构纳米材料包括有衬底，与衬底一侧连接的金属孔层与金属颗粒层，所述金属孔层设有多个金属孔，所述金属颗粒层设有多个金属颗粒，每个所述金属孔处设有金属颗粒；S2、金属辅助化学蚀刻：步骤S1所述单层纳米结构继续与所述蚀刻溶液反应，通过所述金属颗粒层、所述金属孔层与所述衬底，在所述衬底上形成空心纳米线，得到具有空心纳米线的纳米材料；S3、金属去除：采用金属溶解液去除步骤S2所述具有空心纳米线的纳米材料中的金属；S4、薄膜沉积：采用镀膜机，在真空条件下，向步骤S3所述具有空心纳米线的纳米材料沉积一定厚度的氢敏材料，所述氢敏材料覆盖所述空心纳米线内外表面与所述衬底表面；S5、电极制备：采用镀膜机，在真空条件下，向步骤S4所述具有空心纳米线的纳米材料沉积一定厚度的用于形成电极的金属材料，所述电极位于所述空心纳米线两端，得到基于空心纳米线结构的氢气传感器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南交通大学 基于空心硅纳米线结构氢气传感器制备方法及氢气传感器
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