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申请/专利权人：华大恒芯科技有限公司
摘要：本发明公开了一种晶圆级封装的RFID高频电子标签及制备工艺，属于半导体封装技术领域。该制备工艺包括：1晶圆键合；2塑封和晶圆拆键合；3EMC减薄与EMC激光打标；4EMC键合、以固定减薄后EMC；5再分布层RDL制备：包括依次进行的阻挡层制作FP1、第一层天线制作M1、基板制作FP2、第二层天线制作M2和保护层制作FP3；6EMC拆键合、划片。本发明首次实现高频RFID电子标签的晶圆级封装，制造出尺寸小、可量产、低成本、高精度、高可靠、散热好的高频微型电子标签。
主权项：1.一种晶圆级封装的RFID高频电子标签的制备工艺，其特征在于：该制备工艺包括依次进行的如下步骤：1晶圆键合：将减薄后的RFID芯片薄RFID晶粒与一个载体晶圆通过黏合剂临时键合在一起；2塑封和晶圆拆键合：塑封是将步骤1键合载体晶圆的RFID晶粒用介电材料模制并形成扇出结构，塑封后，RFID晶粒背面完全被一层介电材料介电材料层包裹；塑封后将晶圆拆键合，使RFID晶粒与载体晶圆分离；3介电材料层减薄与介电材料层激光打标；4介电材料层临时键合：将减薄后的介电材料层背面与涂有黏合剂的载体晶圆进行临时键合，以固定减薄后介电材料层；5再分布层RDL制备：RDL制备包括依次进行的阻挡层制作FP1得到阻挡层P1、第一层天线制作M1得到第一层天线M1、基板制作FP2制作后的产物为P2、第二层天线制作M2得到第二层天线M2和保护层制作FP3制作后的产物为保护层P3；6EMC拆键合、划片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华大恒芯科技有限公司 一种晶圆级封装的RFID高频电子标签及其制备工艺
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