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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：公开了一种IC器件，其包括将第一晶体管与第二晶体管隔开的背面FTI。该FTI可以位于第一晶体管的源极区和第二晶体管的漏极区之间。第一晶体管的源极区和第二晶体管的漏极区可以是半导体结构例如，鳍状物或纳米带的不同部分。IC器件还可以包括正面金属层。半导体结构可以具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体结构的第一表面可以比半导体结构的第二表面更接近金属层并且更大。FTI可以具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。FTI的第一表面可以比FTI的第二表面更接近金属层，但小于FTI的第二表面。
主权项：1.一种集成电路IC器件，包括：在第一方向上的包括源极区和位于所述源极区之上的源极接触部的第一晶体管；在所述第一方向上的包括漏极区和位于所述漏极区之上的漏极接触部的第二晶体管；以及在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上的位于所述第一晶体管的所述源极区和所述第二晶体管的所述漏极区之间的电介质结构，所述电介质结构包括第一表面和第二表面，其中：在所述第一方向上所述第一表面位于所述第二表面之上，所述第一表面比所述第二表面更接近所述源极接触部或所述漏极接触部，并且在基本上垂直于所述第一方向的平面中，所述第一表面具有比所述第二表面小的面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有背面鳍状物修整隔离的集成电路器件
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