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申请/专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
摘要：用于在单个晶圆上容纳一系列制造工艺的对准键的技术。提供了一种晶圆，其中半导体器件的制造在已经执行初始制造工艺之后将经由后续制造工艺来完成。晶圆包括在晶圆中将半导体器件彼此横向地隔离的隔离结构。晶圆还包括在初始制造工艺中用于晶圆‑光掩模对准的初始对准键。初始对准键被设置在隔离结构之上。在隔离结构之上形成用于在后续制造工艺中使用的后续对准键。在晶圆上执行后续制造工艺。后续制造工艺包括光刻操作，其中后续对准键被用于晶圆‑光掩模对准。
主权项：1.一种利用对准键容纳进行的半导体器件制造方法，该方法包括：提供一种晶圆，其中，多个半导体器件的制造在已经执行初始制造工艺之后将经由后续制造工艺来完成，所述晶圆包括在所述晶圆中将所述半导体器件彼此横向地隔离的隔离结构，所述晶圆还包括在所述初始制造工艺中用于晶圆-光掩模对准的一个或多个初始对准键，所述一个或多个初始对准键被设置在所述隔离结构之上并在所述晶圆的表面的第一直径上；在所述晶圆的所述隔离结构之上形成一个或多个后续对准键，以供在所述后续制造工艺中使用，其中，所述一个或多个后续对准键被设置在所述隔离结构之上和所述晶圆的表面的第二直径上，所述第一直径和第二直径是不同的直径；以及在所述晶圆上执行后续制造工艺，所述后续制造工艺包括一个或多个光刻操作，其中所述一个或多个后续对准键用于在所述后续制造工艺中进行晶圆-光掩模对准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力特半导体(无锡)有限公司 在单个晶圆上容纳一系列制造工艺的对准键
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