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申请/专利权人：苏州优晶半导体科技股份有限公司
摘要：本发明的实施例提供了一种坩埚设备及使用方法，涉人工晶体生长领域。该坩埚设备包括坩埚本体、保温件、保温罩以及升降装置，保温件覆盖于坩埚本体的外部，其中，保温件设有散热孔，保温罩可活动地设置于保温件的外部，保温罩设有通孔，通孔和散热孔配合，用于共同形成散热通道，升降装置和保温罩连接，升降装置用于带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域和距离，进而调整散热通道。在加热过程中为了保证坩埚本体内部的温度梯度，升降装置能够带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域，实现调整散热通道大小的目的，从而精准控制坩埚内的温度，提高散热效果，确保晶体生长的稳定性。
主权项：1.一种坩埚设备，其特征在于，包括：坩埚本体（10）；保温件（20），所述保温件（20）覆盖于所述坩埚本体（10）的外部，其中，所述保温件（20）设有散热孔（30）；保温罩（40），所述保温罩（40）可活动地设置于所述保温件（20）的外部，所述保温罩（40）设有通孔（50），所述通孔（50）和所述散热孔（30）配合，用于共同形成散热通道；升降装置（60），所述升降装置（60）和所述保温罩（40）连接，所述升降装置（60）用于带动所述保温罩（40）进行升降运动，从而沿竖直方向调整所述通孔（50）和所述散热孔（30）的重叠区域和距离，进而调整散热通道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州优晶半导体科技股份有限公司 一种坩埚设备及使用方法
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