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磁性随机存储器及其制备方法 

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申请/专利权人:浙江驰拓科技有限公司

摘要:本发明提供了一种磁性随机存储器及其制备方法。该存储器包括:自旋轨道力矩层,具有第一表面,以及相对的第一端和第二端,第一端指向第二端的方向为第一延伸方向;多个磁性隧道结,沿着第一延伸方向间隔设置于第一表面上;多个导电层,间隔设置于自旋轨道力矩层远离多个磁性隧道结的一侧,且各导电层、自旋轨道力矩层和各磁性隧道结在预定水平面上的垂直投影具有重叠区域,其中,导电层具有第二延伸方向,第一延伸方向和第二延伸方向垂直,预定水平面为平行于第一表面的平面。上述结构在进行写入操作时,施加至导电层中的写入电流,能够产生奥斯特场,并作用于自由层,使得自由层可以实现确定性的翻转。

主权项:1.一种磁性随机存储器,其特征在于,包括:自旋轨道力矩层,所述自旋轨道力矩层具有第一表面,且所述自旋轨道力矩层具有相对的第一端和第二端,所述第一端指向所述第二端的方向为第一延伸方向;多个磁性隧道结,所述多个磁性隧道结沿着所述第一延伸方向间隔设置于所述第一表面上;多个导电层,所述多个导电层间隔设置于所述自旋轨道力矩层远离所述多个磁性隧道结的一侧,且各所述导电层、所述自旋轨道力矩层和各所述磁性隧道结在预定水平面上的垂直投影具有重叠区域,其中,所述导电层具有第二延伸方向,所述第一延伸方向和所述第二延伸方向垂直,所述预定水平面为平行于所述第一表面的平面。

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