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申请/专利权人：武汉大学
摘要：本申请提供了基于表面纳米结构和表面活化处理的键合方法及键合晶圆，键合方法包括如下步骤：将两片待键合的晶圆样本表面的二氧化硅进行刻蚀处理，制得两片具有二氧化硅纳米结构的晶圆样本；进行表面纳米化处理，制得两片具有二氧化硅纳米结构和微纳米铜阵列的晶圆样本；使用等离子体轰击进行表面纳米化处理，制得两片表面处理后的晶圆样本；将两片表面处理后的晶圆样本于真空施压条件下键合。本申请利用表面处理后获取原子级清洁的固体表面拥有的活性，结合纳米材料的尺度效应在低温下加压接触产生强附着力实现键合，降低键合过程中由于热膨胀系数导致的残余应力，实现Cu‑Cu、SiO2‑SiO2两种界面的同步低温键合，同时确保键合强度。
主权项：1.一种基于表面纳米结构和表面活化处理的键合方法，其特征在于，包括如下步骤：将两片待键合的晶圆样本表面的二氧化硅进行刻蚀处理，制得两片具有二氧化硅纳米结构的晶圆样本；将两片具有二氧化硅纳米结构的晶圆样本进行表面纳米化处理，制得两片具有二氧化硅纳米结构和微纳米铜阵列的晶圆样本；将两片具有二氧化硅纳米结构和微纳米铜阵列的晶圆样本使用等离子体轰击进行表面处理，制得两片表面处理后的晶圆样本；将两片表面处理后的晶圆样本于100℃以下以及真空施压条件下键合，制得键合晶圆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉大学 基于表面纳米结构和表面活化处理的键合方法及键合晶圆
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