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申请/专利权人：中国科学院化学研究所
摘要：本发明涉及二维无机材料制备技术领域，公开了一种二维过渡金属硫族化物纳米片及其粉末插层制备方法及应用。该方法包括：1将二维过渡金属硫族化物粉末、第1季铵盐和第1极性溶剂电化学插层处理后静置；2将步骤1得到的第1部分膨胀的过渡金属硫族化物粉体、第2季铵盐和第2极性溶剂电化学插层处理后静置；3将第1+N部分膨胀的过渡金属硫族化物粉体，第2+N季铵盐和第2+N极性溶剂电化学插层处理后静置，循环步骤3N次；4将经步骤3得到的高膨胀度的过渡金属硫族化物超声和离心，得到二维过渡金属硫族化物纳米片。该方法成本低，能够制备出横向尺寸大、厚度小TMDS纳米片。
主权项：1.一种二维过渡金属硫族化物纳米片的粉末插层制备方法，其特征在于，所述的粉末插层制备方法包括：1将二维过渡金属硫族化物粉末、第1季铵盐和第1极性溶剂进行电化学插层处理后静置，得到第1部分膨胀的过渡金属硫族化物粉体；2将所述第1部分膨胀的过渡金属硫族化物粉体、第2季铵盐和第2极性溶剂接触进行电化学插层处理后静置，得到第2部分膨胀的过渡金属硫族化物粉体；3将第1+N部分膨胀的过渡金属硫族化物粉体，第2+N季铵盐和第2+N极性溶剂接触进行电化学插层处理后静置，得到第2+N部分膨胀的过渡金属硫族化物粉体；4循环步骤3N次，其中，N为大于等于1的整数，且从1开始递增取值；所述第2+N部分膨胀的过渡金属硫族化物粉体充分膨胀，得到高膨胀度的过渡金属硫族化物；5将所述高膨胀度的过渡金属硫族化物进行超声和离心处理，得到二维过渡金属硫族化物纳米片。
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百度查询： 中国科学院化学研究所 二维过渡金属硫族化物纳米片及其粉末插层制备方法及应用
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