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申请/专利权人：威顿智存科技(上海)有限公司

摘要：本申请公开一种可进行SRAM操作的电擦除非易失性半导体存储装置，能够进行易失性RAM操作和RAM数据的非易失性存储，包括：存储单元，存储单元包括形成于半导体衬底表面的单层多晶硅栅互补MIS晶体管；存储单元包括由6个半导体元件组成SRAM存储单元部分和由4个半导体元件组成的非易失性存储部分；SRAM存储单元部分包括一个CMOS触发器，COMS触发器的正相存储节点和反相存储节点分别通过第一N型沟道晶体管和第二N型沟道晶体管连接位线和反相位线；非易失性存储部分包括两组串联的传输栅晶体管和存储晶体管。本申请实施例提供的可进行SRAM操作的电擦除非易失性半导体存储装置，至少能够降低制造成本提高集成密度。

主权项：1.一种可进行SRAM操作的电擦除非易失性半导体存储装置，能够进行RAM操作和RAM数据的非易失性存储，其特征在于，包括：存储单元，所述存储单元包括形成于半导体衬底表面的单层多晶硅栅互补MIS晶体管；所述存储单元由SRAM存储单元部分和非易失性存储部分组成，所述SRAM存储单元部分由6个半导体元件组成，所述非易失性存储部分由4个半导体元件组成；所述SRAM存储单元部分包括一个CMOS触发器，所述CMOS触发器由N型沟道晶体管和P型沟道晶体管构成；所述CMOS触发器具有互补的正相存储节点和反相存储节点，所述正相存储节点通过第一N型沟道晶体管与位线连接，所述反相存储节点通过第二N型沟道晶体管与反相位线连接；所述CMOS触发器连接所述SRAM存储单元的电源电压VCC以及接地电压VSS；所述第一N型沟道晶体管的栅极以及所述第二N型沟道晶体管的栅极连接字线；所述非易失性存储部分包括两组元件，每组元件包括2个半导体元件，其中，每组元件包括由N型沟道晶体管构成的传输栅晶体管以及由P型沟道晶体管构成的存储晶体管；所述传输栅晶体管和所述存储晶体管串联连接；不同所述传输栅晶体管的漏极分别对应连接所述SRAM存储单元部分的所述正相存储节点和所述反相存储节点；所述传输栅晶体管的栅极与第一控制信号相连；所述传输栅晶体管的源极与所述存储晶体管的漏极相连；所述存储晶体管的栅极设置为电气浮置；所述存储晶体管的源极与第二控制信号相连；所述存储晶体管的阱电极与第一阱电位相连；其中，所述存储单元包括10个半导体元件；在所述存储单元的所述非易失性存储部分对所述存储晶体管进行擦除操作和编程操作的方法包括：在所述存储单元的所述非易失性存储部分对所述存储晶体管进行擦除操作期间：将连接到所述传输栅晶体管的栅极的所述第一控制信号设置为接地电压VSS，从而关闭所述传输栅晶体管；向连接到所述存储晶体管的所述阱电极的所述第一阱电位施加等于或高于电源电压VCC且等于或高于编程操作时的阱电位的高电压；将所述存储晶体管的源极充电至电源电压VCC后，所述存储晶体管的源极电气浮置；在所述存储单元的所述非易失性存储部分对所述存储晶体管进行编程操作期间：将连接到所述传输栅晶体管的栅极的所述第一控制信号设置为电源电压VCC，从而导通所述传输栅晶体管；向连接到所述存储晶体管的所述阱电极的所述第一阱电位施加等于或高于电源电压VCC且等于或低于编程操作时的阱电位的高电压；将所述存储晶体管的源极充电至电源电压VCC后，所述存储晶体管的源极电气浮置。

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