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申请/专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种纳米压印方法及纳米压印设备。该纳米压印方法首先使用第一施压机构向施压腔室提供第一压力，并使得软膜向晶片凸出，并贴设于晶片的表面，确保空隙中的空气顺利排出，解决空气在空隙中形成缺陷；随后第二施压机构逐渐增压，当其压力达到第二压力时，解除第一施压机构与施压腔室的连通，同时第二施压机构与施压腔室连通，第二施压机构使软膜向晶片压印图形；在压印完成后，解除第二施压机构与施压腔室的连通，第一施压机构保持的第一压力随即连通于施压腔室，在保持第一压力的同时完成晶片与软膜的脱离。
主权项：1.纳米压印方法，其特征在于，包括步骤：S1、将软膜20固定于施压定位台100内，所述软膜20与所述施压定位台100的内腔形成有密闭的施压腔室110，将晶片10放置于软膜20下方；S2、使用第一施压机构200向所述施压腔室110提供第一压力，以使所述软膜20朝向所述晶片10凸起并贴设于所述晶片10的表面；S3、使用第二施压机构300提供逐渐增大的压力直至不小于所述第一压力，随后解除所述第一施压机构200与所述施压腔室110的连通，所述第一施压机构200的输出端仍保持第一压力，由所述第二施压机构300向所述施压腔室110施加第二压力，以使所述软膜20对所述晶片10完成压印，所述第二压力大于所述第一压力；S4、所述第二施压机构300开始泄压，直至所述第二施压机构300提供的压力不大于所述第一压力，随后解除所述第二施压机构300与所述施压腔室110的连通，同时连通所述第一施压机构200与所述施压腔室110；S5、向下方移动所述晶片10，以使所述晶片10脱离所述软膜20。
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权利要求：
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