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申请/专利权人：中科亿海微电子科技(苏州)有限公司
摘要：本发明提供了一种用于对FPGABRAM存储序列读写时长跟踪的电路，通过对存储阵列的工作时长进行模拟跟踪，得到存储阵列的工作时长，进而根据这个工作时长对时序脉宽进行配置，从而不需要在BRAM每次存储数据前都要计算配置工作时序的脉宽，减少了BRAM脉宽设置出错率，提高了BRAM的开发效率。
主权项：1.一种用于对FPGABRAM存储序列读写时长跟踪的电路，其特征在于，包括行译码电路、行跟踪模拟电路、和列跟踪模拟电路；所述行译码电路用于确定是选择静态随机存储器SRAM存储阵列中哪一行的单元cell在工作，则对这一行的单元cell工作时间进行跟踪；所述行跟踪模拟电路使用n对NMOS管来模拟字线WL在静态随机存储器SRAM存储阵列中一行中n个单元cell的打开时间，n对NMOS管的栅极分别连接在行跟踪开始信号上，所述行跟踪开始信号由全局工作时钟信号经过所述行译码电路确定是哪一行的单元cell工作后产生高电平，n对NMOS管的源极和漏极都连接在接地信号上，在n对NMOS管充电完成后，给出行跟踪完成的反馈信号给行译码电路；所述列跟踪模拟电路使用m个NMOS管来模拟位线BL在静态随机存储器SRAM存储阵列中一列m个单元的读写工作时间,列跟踪开始信号分别输入m个NMOS管的源极端，m个NMOS管的栅极和漏极均连接在接地信号上；所述列跟踪开始信号是在行跟踪完成的反馈信号到行译码电路后，给出列跟踪开始信号；所述列跟踪开始信号在对m个NMOS管充电完成后完成跟踪，给出跟踪完成的触发信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中科亿海微电子科技(苏州)有限公司 一种用于对FPGA BRAM存储序列读写时长跟踪的电路
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