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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本公开涉及一种光学邻近修正方法及其系统、光罩的制作方法。光学邻近修正方法包括以下步骤。提供光罩设计版图，光罩设计版图包括：依序排列的多个单元图形。确定光罩设计版图的中心区域和边缘区域；其中，位于中心区域内的单元图形为第一单元图形，位于边缘区域内的单元图形为第二单元图形。对第一单元图形进行基于数据的光学邻近修正，对第二单元图形进行基于模型的光学邻近修正，获得光罩版图。上述光学邻近修正方法提高了单元图形的CDU以及半导体良率。此外，还大大提高了光学邻近修正的运行周期。
主权项：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供光罩设计版图，所述光罩设计版图包括：依序排列的多个单元图形；确定所述光罩设计版图的中心区域和边缘区域；其中，位于所述中心区域内的所述单元图形为第一单元图形，位于所述边缘区域内的所述单元图形为第二单元图形；对所述第一单元图形进行基于数据的光学邻近修正，对所述第二单元图形进行基于模型的光学邻近修正，获得光罩版图。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 光学邻近修正方法及其系统、光罩的制作方法
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